Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
摘要
기판 상에 2차원적으로 배열되고 기판으로부터 수직으로 연장되는 수직 채널 구조체들이 제공된다. 수직 채널 구조체들 상에 제공되고 제 1 방향을 따라 배치된 수직 채널 구조체들을 연결하는 비트 라인들이 제공된다. 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라 수직 채널 구조체들 사이로 연장되는 복수 개의 공통 소스 라인들이 제공된다. 비트 라인들과 동일한 수직 레벨에 위치하고, 복수 개의 공통 소스 라인들을 전기적으로 연결하는 소스 스트래핑 라인이 제공된다.
申请公布号
KR20160118118(A)
申请公布日期
2016.10.11
申请号
KR20150098647
申请日期
2015.07.10
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
KIM, JONG WON;RHO, KEE JEONG;WON, JIN YEON;LIM, TAE WAN;PARK, WOO HYUN
