发明名称 一种二极管的优化生产工艺
摘要 本发明公开了一种二极管的优化生产工艺,将硅晶芯片切割成六边形的单元体酸洗后,进行清洗;在400~500℃下进行氧化反应;管芯在650~750℃下进行真空烧结,30分钟后进行镀膜;将管芯切割为六边形直棱柱;用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面,然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面;将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗,然后涂聚酰亚胺进行固化处理;进行模压处理,模压后在180℃下进行烘烤;最后对所得产品进行表面处理,通过再测试后,进行成品包装。本发明采用多层压接式的结构,降低管芯的热疲劳,减少漏电、性能良好;不使用焊接,有效防止电阻增加;在管芯真空烧结前进行酸洗,防止引线及焊片引入其他杂质元素。
申请公布号 CN106067419A 申请公布日期 2016.11.02
申请号 CN201610692856.9 申请日期 2016.08.22
申请人 成都众乐泰科技有限公司 发明人 何勇;胡苏;余凯
分类号 H01L21/329(2006.01)I 主分类号 H01L21/329(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种二极管的优化生产工艺,其特征在于,包括以下步骤;(1)将硅晶芯片切割成六边形的单元体;(2)用混合酸进行酸洗后,再用超声波进行清洗;(3)清洗完毕后,在400~500℃下通入氧气,进行氧化反应;(4)管芯从下向上依次包括引线、焊片、芯片、焊片、引线,在650~750℃下进行真空烧结,烧结30分钟后,利用CVD气相沉积进行镀膜;(5)将管芯切割为六边形直棱柱;(6)首先使用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面,然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面;(7)将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗,然后涂聚酰亚胺进行固化处理;(8)进行模压处理,模压后在180℃下进行烘烤;(9)最后对所得产品进行表面处理,通过再测试后,进行成品包装。
地址 610000 四川省成都市高新区天府大道500号3号4121室