| 摘要 |
一种晶圆级晶片封装制程，其包括下列步骤：首先，提供具有一晶片密合层以及一透光层的一透光基板。然后，切割晶片密合层，以形成一预定深度之第一凹槽，并形成一胶体于晶片密合层上。接着，提供具有一背面以及一主动表面的一晶圆，并将透光基板配置于晶圆之主动表面上，而晶片密合层是藉由胶体以接合于主动表面。接着，切割透光层，以形成一预定深度之第二凹槽，其中第二凹槽对应于第一凹槽。接着，再切割晶圆之背面，以形成一预定深度之第三凹槽，而第三凹槽亦是对应于第一凹槽。之后，单颗化晶圆及透光基板，以形成多个晶片封装结构。 |
