| 摘要 |
〔课题〕在将到达位于薄膜电晶体之层间绝缘膜的下层且由膜厚较薄的多晶矽膜所构成之源极区域与汲极区域的接触孔予以开口之际，若贯穿多晶矽膜则接触孔底部不会残留多晶矽膜，因此连接电阻将增大，而且，保持电容之下部电极为由多晶矽膜构成时，由于为了使该膜低电阻化，必须要有高剂量的掺杂制程，因此会使生产性显着降低。〔解决手段〕在形成金属膜4之后形成闸极绝缘膜5、闸极电极6、层间绝缘膜7，且于金属膜4的上部使接触孔8开口，其中该金属膜4系用以覆盖在基板1上形成为岛状之多晶矽膜3之源极区域3a及汲极区域3b之至少一部分。再者，于形成金属膜4之际，藉由延伸至保持电容的位置，将金属膜4构成为保持电容之下部电极。 |
