发明名称 PROTECTION DIODE FOR IMPROVED RUGGEDNESS OF A RADIO FREQUENCY POWER TRANSISTOR AND SELF-DEFINING METHOD TO MANUFACTURE SUCH PROTECTION DIODE
摘要
申请公布号 EP1327266(B1) 申请公布日期 2008.03.19
申请号 EP20010986798 申请日期 2001.09.26
申请人 NXP B.V. 发明人 MAGNEE, PETRUS, H., C.;VAN RIJS, FREERK;HUIZING, HENDRIK, G., A.
分类号 H01L29/10;H01L21/331;H01L21/822;H01L21/8222;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/08;H01L29/732;H01L29/861 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
主权项
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