低电流和高速相变存储设备及用于驱动这种设备的方法

摘要

本发明提供了相变存储器，其中，通过使电阻发生微量改变来改变相态。在相变存储器中，置位状态被定义为在存储单元的相变层中形成非晶体核且相变层具有高于晶体矩阵中的电阻的初始电阻的状态，且复位状态被定义为非晶体核的数量和/或密度大于置位状态且电阻高于置位状态中的电阻的状态。用于写入复位和置位状态的电流被降低至几百微安培并且写入复位和置位状态所需的周期被降低至几十毫微秒～几百毫微秒。

主权项

1. 一种创建相变存储器的状态的方法，包含：通过向相变存储单元的相变层施加10毫微秒～100毫微秒周期的十微安培～几百微安培的复位电流来把复位状态写为高电阻状态；以及通过向相变层施10毫微秒～100毫微秒周期的小于几十微安培的置位电流来把置位状态写为低电阻状态。