| 发明名称 |
MODIFIED-RESIST STRIPPING METHOD, MODIFIED-RESIST STRIPPER USED THEREIN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR-SUBSTRATE PRODUCT |
| 摘要 |
반도체 기판에 에칭액을 적용하여, 상기 반도체 기판 상의 변성 레지스트를 박리하는 박리 방법으로서, 상기 에칭액이, 알코올 화합물과 수산화 제4급 암모늄을 함유하고, 상기 수산화 제4급 암모늄 화합물이 수산화 테트라에틸암모늄 및 수산화 테트라뷰틸암모늄 중 적어도 한쪽인 박리 방법이다. |
| 申请公布号 |
KR20160083034(A) |
申请公布日期 |
2016.07.11 |
| 申请号 |
KR20167014468 |
申请日期 |
2014.11.14 |
| 申请人 |
FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
SUGISHIMA YASUO;KAMIMURA TETSUYA;MIZUTANI ATSUSHI |
| 分类号 |
G03F7/42;G03F7/004;G03F7/20;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/8238 |
主分类号 |
G03F7/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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