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发明名称
TRANSISTOR AND TUNABLE INDUCTANCE
摘要
제1 양태에 따르면, 실시예들은 적어도 하나의 드레인 영역과 적어도 하나의 소스 영역 사이의 적어도 하나의 게이트 영역을 포함하는 트랜지스터를 제공하며, 여기서 게이트 영역의 폭과 게이트 영역의 길이의 비율은 300을 초과한다.
申请公布号
KR101656147(B1)
申请公布日期
2016.09.08
申请号
KR20140157497
申请日期
2014.11.13
申请人
인피니언 테크놀로지스 아게
发明人
바칼스키 빈프리드
分类号
H01F21/00;H01L29/78
主分类号
H01F21/00
代理机构
代理人
主权项
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