自举器件

摘要

一种自举器件，包括用于一信号传输的第１ＮＭＯＳ晶体管和被连接在第１ＮＭＯＳ晶体管的栅极和一地址译码器电路之间的第２ＮＭＯＳ晶体管。该第２ＮＭＯＳ晶体管在它的栅极被提供有一源极电压，其中该第２ＮＭＯＳ晶体管包括，在一半导体基片的要求部分形成的一第１扩散区域，围绕该第１扩散区域而又与第１扩散区域上隔一需要距离处形成的一第２扩散区域，和在第１和第２扩散区域之间的半导体基片上形成的一栅极电极。

主权项

1.一种自举器件包括用于一信号传输的一第1NMOS晶体管，和被连接在第1NMOS晶体管的栅极和一地址译码器电路之间的一第2NMOS晶体管，该第2NMOS晶体管在它的栅极被提供一源极电压，其中该第2NMOS晶体管包括：在一半导体基片上的一要求部分形成的一第1扩散区域；围绕该第1扩散区域而又与第1扩散区域相隔一所要求的距离处形成的一第2扩散区域；和超过该第1和第2扩散区域之间的该半导体基片上形成的一栅极电极。