| 发明名称 | 带有用于焊料块的基底阻挡膜的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在形成在最上层布线层上的钝化膜中形成焊盘通孔。在通孔的部分中形成基底阻挡膜并在基底阻挡膜上形成焊料块。基底阻挡膜的平面形状是用各向同性腐蚀构图的圆形或具有磨圆角部的八边形。这种就可以减小由焊料块对基底阻挡膜施加的应力并提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1239830A | 申请公布日期 | 1999.12.29 |
| 申请号 | CN99109047.0 | 申请日期 | 1999.06.15 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小林孝彰 |
| 分类号 | H01L23/488;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/488 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
| 主权项 | 1.一种带有用于焊料块的基底阻挡膜的半导体器件，包括：焊料块；最上层布线层；和设置在最上层布线层和所述焊料块之间的基底阻挡膜，所述基底阻挡膜具有用各向同性腐蚀构图的圆形的平面形状。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||