制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法

摘要

一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。

主权项

1.在单个芯片上形成两个不同栅氧化物层的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成两个有源区，一个有源区的宽度比另一个有源区的窄；在其间设置栅氧化物层的所述每个有源区上形成栅图形，所述栅图形与所述有源宽度方向平行延伸；在所述每个栅图形的侧壁上形成栅间隔层；和生长所述栅氧化物层，其中在具有较窄有源宽度的所述有源区的所述栅氧化物生长得比在所述另一有源区中的栅氧化物厚。