| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电子设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，在载体基板(11)背面所设的连接盘(12a)上，形成熔点比突出电极(24)还低的突出电极(17)，通过在比突出电极(24)的熔点还低、比突出电极(17)的熔点还高的温度下进行回流焊处理，可以使突出电极(17)接合在母基板(31)的连接盘(32)上。这样，可以防止在载体基板的2次安装时突出电极的融解。 | ||
| 申请公布号 | CN1531086A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN200410006685.7 | 申请日期 | 2004.02.25 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 青柳哲理 |
| 分类号 | H01L25/065;H01L25/04;H01L25/16;H01L25/18 | 主分类号 | H01L25/065 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：装载了第1半导体芯片的第1半导体封装；在所述第1半导体封装上设置的第1突出电极；和第2半导体封装，装载有第2半导体芯片，并通过介入其熔点比所述第1突出电极高的第2突出电极被安装在所述第1半导体封装上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||