| 发明名称 |
Insulated trench gate bipolar transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1469524(A3) |
申请公布日期 |
2005.07.06 |
| 申请号 |
EP20040014331 |
申请日期 |
1992.08.06 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
KITAGAWA, MITSUHIKO;OMURA, ICHIRO |
| 分类号 |
H01L29/74;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/749;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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