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Ein Direktzugriffsspeicher (MRAM), der eine magnetische Speicherzelle umfasst, die unter dem Einfluss eines Magnetfeldes zwischen zwei Zuständen umschaltbar ist, ist offenbart. Der MRAM umfasst außerdem eine elektrische Bitleitung, die mit der magnetischen Speicherzelle gekoppelt ist, zum Erzeugen des Magnetfeldes. Die elektrische Bitleitung umfasst eine leitfähige Komponente und eine magnetische Komponente, um einen Magnetfluss, der dem Magnetfeld zugeordnet ist, in Richtung der magnetischen Speicherzelle zu führen. Ein Wärmeisolator ist zwischen dem leitfähigen Abschnitt und der magnetischen Speicherzelle positioniert und die magnetische Komponente weist zumindest einen Führungsabschnitt auf, der sich von der leitfähigen Komponente in Richtung der magnetischen Speicherzelle erstreckt, um den Magnetfluss um zumindest einen Abschnitt des Wärmeisolators herumzuführen.
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