发明名称 3 HIGH-TEMPERATURE BONDING COMPOSITION SUBSTRATE BONDING METHOD AND 3-D SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명은 환상 구조를 포함할 수도 있는 직쇄상 또는 분지상, 또는 환상의 지방족 탄화수소기, 복소환 함유기, 또는 방향환 함유 탄화수소기에 의한 가교에 의해 연결된 1쌍 이상의 규소 원자를 가짐과 동시에 3개 이상의 수산기 및/또는 가수분해성기를 갖는 실란 화합물을 포함하는 축합물 전구체의 단체 또는 혼합물을 가수분해·축합하여 얻은 규소계 고분자 화합물이고, 또한 상기 규소계 고분자 화합물에 포함되는 전체 규소 원자에 대해서, 상기 지방족 탄화수소기, 복소환 함유기, 또는 방향환 함유 탄화수소기에 의한 가교와의 직접 결합을 갖는 규소 원자의 비율이 90 몰% 이상인 규소계 고분자 화합물을 열경화성 결합제로서 함유하는 고온 내성 접착제 조성물을 제공한다. 본 발명의 고온 내성 접착제 조성물에 따르면, 정밀한 구조 내의 접착층으로서 사용할 수 있고, 접착된 재료가 고온으로 처리된 경우에도 질량 감소가 매우 낮을 뿐만 아니라, 열응력에 대해서 강한 접착성을 유지할 수 있다.
申请公布号 KR101623655(B1) 申请公布日期 2016.05.23
申请号 KR20140170614 申请日期 2014.12.02
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 하마다, 요시따까;야기하시, 후지오;아사노, 다께시
分类号 C09J5/06;C09J183/02 主分类号 C09J5/06
代理机构 代理人
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