| 摘要 |
ｎ+ＳｉＣ基板（１）おもて面側に形成された層間絶縁膜（８）のコンタクトホール（８ａ）内に、第１ニッケル膜（９ａ）を堆積する。次に、層間絶縁膜（８）および第１ニッケル膜（９ａ）全面から第１レーザー（１１）を照射し、炭化珪素半導体とのオーミックコンタクトを形成する。次に、第１ニッケル膜（９ａ）上に、第２ニッケル膜およびおもて面電極膜を堆積してソース電極を形成する。次に、ｎ+ＳｉＣ基板（１）の裏面を研削し、ｎ+ＳｉＣ基板（１）の研削された裏面に第３ニッケル膜を形成する。第３ニッケル膜全面から第２レーザーを照射し、炭化珪素半導体とのオーミックコンタクトを形成する。次に、第３ニッケル膜上に、第４ニッケル膜および裏面電極膜を堆積してドレイン電極を形成する。これにより、電気的特性の劣化を防止し、かつ、ウエハの反りや割れを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。 |
