少なくとも１つの高障壁層を有する多重量子井戸を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ

摘要

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）に関しており、このチップは、ｐ型半導体領域（４）と、ｎ型半導体領域（６）と、前記ｐ型半導体領域（４）と前記ｎ型半導体領域（６）との間に配設された活性層（５）とを含み、前記活性層（５）は、多重量子井戸構造（７）として構成されており、前記多重量子井戸構造（７）は、複数の量子井戸層（７１）及び障壁層（７２，７３）を交互に有し、前記ｎ型半導体領域（６）よりも前記ｐ型半導体領域（４）近傍に配置された少なくとも１つの前記障壁層は、高障壁層（７３）であり、前記高障壁層（７３）は、残りの障壁層（７２）の電子バンドギャップＥbより大きい電子バンドギャップＥhbを有している。