| 摘要 |
본 발명은 트랜지스터의 반도체 등으로서 사용될 수 있는 결정성 산화물 반도체를 제공하는 것이다. 결정성 산화물 반도체는 복수의 평판 형상 In-Ga-Zn 산화물을 포함하고 표면 위에 있는 산화물이다. 복수의 평판 형상 In-Ga-Zn 산화물의 각각은 결정 구조를 갖고, 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1 층은 갈륨 원자, 아연 원자, 및 산소 원자를 포함한다. 제 2 층은 인듐 원자 및 산소 원자를 포함한다. 제 3 층은 갈륨 원자, 아연 원자, 및 산소 원자를 포함한다. 복수의 평판 형상 In-Ga-Zn 산화물 각각의 평평한 면은 표면의 법선 벡터에 실질적으로 수직이다. |
