| 主权项 |
1.一种控制奈米碳管生长密度之方法,包括下列步 骤: 提供一基底,该基底具有一平整表面; 在所述基底之表面形成一金属氮化物保护层; 在金属氮化物保护层表面形成一催化剂层; 于惰性气体保护下退火还原该催化剂层,以使得该 催化剂层形成奈米级催化剂颗粒; 通入碳源气; 采用化学气相沈积法在催化剂层表面生成奈米碳 管。 2.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该保护层包括氮化钛或氮化钽。 3.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该保护层厚度大于20奈米。 4.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该保护层通过蒸渡法形成。 5.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该保护层通过溅渡法形成。 6.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该基底包括矽、石英或金属。 7.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该催化剂层为金属催化剂。 8.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该催化剂层包括镍、铁、钴或其 合金。 9.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中该催化剂层厚度为1奈米~20奈米 。 10.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中惰性气体包括Ar。 11.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中退火还原温度为300℃~400℃。 12.如申请专利范围第1项所述之控制奈米碳管生长 密度之方法,其中碳源气包括乙烯、乙炔或甲烷。 图式简单说明: 第一图系本发明控制奈米碳管生长密度之方法流 程图。 第二图系本发明所用之基底示意图。 第三图系于所用基底表面形成保护层之示意图。 第四图系于保护层上形成催化剂层之示意图。 第五图系利用本发明方法得到之奈米碳管示意图 。 |
