一种LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，其特征在于包括在衬底上依次形成N型GaN层、有源层、P型GaN层；在P型GaN层表面沉积金属反射层；在金属反射层表面形成保护金属层；保护金属层为多层金属Ti及合金金属TiW层，为TiW/Ti结构或TiW/Ti/TiW结构；在保护金属层表面的部分区域进行刻蚀，深度至暴露出N型GaN，形成N型电极孔。使用本发明提供的技术方案制得的LED芯片，不仅能对反射金属层起到较好的保护作用保证出光效率和使用寿命，应力得到较好的控制，而且成本低廉，刻蚀工艺成熟，便于操作。

主权项

一种LED芯片的制备方法，包括在衬底上依次形成N型GaN层、有源层、P型GaN层；在P型GaN层表面沉积金属反射层；在金属反射层表面形成保护金属层；所述保护金属层为多层金属Ti及合金TiW层，为TiW/Ti结构或者TiW/Ti/TiW结构；在所述保护金属层表面的部分区域进行刻蚀，深度至暴露出N型GaN，形成N型电极孔。