QUANTUM-WELL-BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

양자 우물 기반 반도체 디바이스 및 양자 우물 기반 반도체 디바이스를 형성하는 방법이 설명된다. 방법은 기판 위에 배치되고 양자 우물 채널 영역을 포함하는 헤테로 구조체를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 양자 우물 채널 영역 위에 소스 및 드레인 재료 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 드레인 영역으로부터 분리된 소스 영역을 제공하기 위해 소스 및 드레인 재료 영역에 트렌치를 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 소스 및 드레인 영역 사이의 트렌치에 게이트 유전체층을 형성하는 단계와, 게이트 유전체층 위의 트렌치에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.