POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD USING SAME

摘要

본 발명은 SiN막의 단차를 충분히 해소할 수 있는 연마용 조성물을 제공한다. 본 발명은 pH가 6 미만인 조건에서 표면이 양으로 대전되는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되고, 물과, 지립과, 특정한 단위 구조를 갖는 음이온성 공중합체를 포함하고, pH가 6 미만이고, 상기 음이온성 공중합체는, 산성도가 상이한 2종류 이상의 산성기를 갖는 연마용 조성물이다.