发明名称 THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND DISPLAY DEVICE WITH THE THIN FILM TRANSISTOR
摘要 본 발명은 기판 상에 형성된 절연 패턴과, 상기 절연 패턴 상에 위치한 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 제공된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 제공된 반도체층 및 상기 반도체층 상에 위치하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 절연 패턴의 상면 및 측면을 감싸며, 상기 기판 표면의 일부와 중첩되는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160145229(A) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20150081200 申请日期 2015.06.09
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 홍성진;강재웅;강종혁;김대현;박재병;이주열;임현덕;조현민;노남석
分类号 H01L29/786;G02F1/1368;H01L27/32 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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