发明名称 Integrated circuit transistor having drain junction offset.
摘要
申请公布号 EP0643419(A3) 申请公布日期 1996.02.28
申请号 EP19940306318 申请日期 1994.08.26
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. 发明人 BRYANT, FRANK RANDOLPH;HODGES, ROBERT LOUIS
分类号 H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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