快速生长速率下之无色单晶CVD钻石COLORLESS SINGLE-CRYSTAL CVD DIAMOND AT RAPID GROWTH RATE

摘要

本发明有关一种以快速生长速率制造无色单晶钻石的方法。该钻石制造方法包括控制该钻石的生长表面的温度，如此越过该钻石生长表面的所有温度梯度均低于约20℃，以及藉由在具有某一气氛之沉积室中于生长温度下在该钻石生长表面上以微波电浆化学气相沉积生长单晶钻石，其中该气氛包括每单位H2自约8％至约20％之CH4，以及每单位CH4括自约5至约25％之O2。本发明方法可制造大于10克拉之钻石。使用本发明方法的生长速率可高于50μm/时。