用于背照式图像传感器的抗反射层

摘要

一种形成图像传感器件的方法包括在硅衬底的前面处形成光感测区和在光感测区上方形成图案化的金属层。此后，该方法包括在衬底的第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。该金属氧化物抗反射叠层包括在光电二极管上方堆叠的一个或多个薄金属氧化物的复合层。每个复合层都包括两个或更多个的金属氧化层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物而另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；金属氧化物抗反射叠层，位于所述半导体衬底的所述第一表面的上方；互连结构，位于所述半导体衬底的所述第二表面上；多个光电二极管，在所述半导体衬底中介于所述金属氧化物抗反射叠层和所述互连结构之间；以及透镜，在所述金属氧化物抗反射叠层的上方与所述多个光电二极管中的一个或多个光电二极管相对应；其中，所述金属氧化物抗反射叠层包括至少一对金属氧化物，所述至少一对金属氧化物包括高能带隙金属氧化物和高折射率金属氧化物，所述至少一对金属氧化物中的所述高能带隙金属氧化物比所述高折射率金属氧化物更紧邻所述半导体衬底的所述第一表面。