发明名称 |
Halbleiterstruktur mit Doppelschicht-Gate-Dielektrikum mit geringer äquivalenter Oxiddicke, Graphen-Halbleiterbauelemente und ein Verfahren |
摘要 |
Halbleiterstruktur, aufweisend: eine Graphenschicht (14), die auf einer Oberseite (12) eines Grundsubstrats (10) angeordnet ist; und ein Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, das auf einer Oberseite (12) der Graphenschicht (14) angeordnet ist, wobei das Doppelschicht-Gate-Dielektrikum, von unten nach oben, eine Siliciumnitridschicht (16) auf der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) bereitstellt und eine auf einer Oberseite (12) der Siliciumsnitridschicht (16) bereitgestellte HfO2-Schicht (18) einschließt, wobei die Siliciumnitridschicht (16) und die HfO2-Schicht (18) über der Oberseite (12) der Graphenschicht (14) kontinuierlich vorhanden sind. |
申请公布号 |
DE102012222116(B4) |
申请公布日期 |
2016.08.25 |
申请号 |
DE201210222116 |
申请日期 |
2012.12.04 |
申请人 |
International Business Machines Corporation |
发明人 |
Dimitrakopoulos, Christos D.;Farmer, Damon B.;Grill, Alfred;Lin, Yu-Ming;Neumayer, Deborah A.;Pfeiffer, Dirk;Zhu, Wenjuan |
分类号 |
H01L29/786;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L21/20;H01L29/16 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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