固体撮像装置

摘要

固体撮像装置において、基板（１）上に形成した島状半導体（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３）内の上部のＰ領域（３ａ、３ｂ、３ｃ）の外周部に光電変換ダイオードとなるＮ領域（６ａ、６ｂ、６ｃ）が形成され、Ｎ領域（６ａ、６ｂ、６ｃ）とＰ領域（３ａ、３ｂ、３ｃ）に接するように、島状半導体（Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３）の上端部の表層部に画素選択線導体層（８）に接続されるＰ＋領域（７ａ、７ｂ、７ｃ）が形成されている。Ｐ＋領域（７ａ）の厚さがＰ＋領域（７ｂ）より薄く、かつ、Ｐ＋領域（７ｂ）の厚さがＰ＋領域（７ｃ）より薄い。