| 主权项 |
1.一种减少微粒产生的方法,适用于一晶圆上之一 氧化矽层的蚀刻制程,该方法包括: 于一第一温度下对该晶圆进行除气动作,且该第一 温度高于室温; 冷却该晶圆,以使该晶圆之温度为一第二温度,其 中该第二温度系为室温;以及 蚀刻该氧化矽层。 2.如申请专利范围第1项所述之减少微粒产生的方 法,其中该氧化矽层包括一层以化学气相沈积法所 形成的氧化层。 3.如申请专利范围第1项所述之减少微粒产生的方 法,其中该第一温度系为摄氏330度左右。 4.一种减少微粒产生的方法,适用于一基底上之一 氧化矽层内之一沟渠的圆角化蚀刻制程,该方法包 括: 于一第一温度下对该基底进行除气动作,且该第一 温度高于室温; 冷却该基底,以使该基底之温度为一第二温度,其 中该第二温度系为室温;以及 蚀刻该氧化矽层,以使该沟渠之边缘圆角化。 5.如申请专利范围第4项所述之减少微粒产生的方 法,其中该氧化矽层包括一层以化学气相沈积法所 形成的氧化层。 6.如申请专利范围第4项所述之减少微粒产生的方 法,其中该第一温度系为摄氏330度左右。 图式简单说明: 第1图所示为本发明之一较佳实施例之减少微粒产 生的方法的流程图。 第2~4图中每一者所示皆为本发明之较佳实施例中, 分别于摄氏550度、摄氏330度、以及摄氏30度之初 始温度下蚀刻晶圆后,所测得之微粒数的曲线图。 |
