发明名称 |
一种玻璃钝化高压双向触发二极管 |
摘要 |
本实用新型提供了一种玻璃钝化高压双向触发二极管,其制备工艺如下:步骤1,采用p型硅片进行化学抛光;步骤2,双面涂磷进行磷扩散;步骤3,制作氧化层;步骤4,制作短路电极层的硼扩散窗,硼扩散得到短路控制电极,形成双面PNPNP结构;步骤5,制作氧化层;步骤6,制作硼表面接触扩散窗,硼扩散得到表面接触电极层,得到双面P+PNPNPP+结构;步骤7,制作氧化层;步骤8,双面涂胶;第三次双面对准光刻形成深沟槽腐蚀区域,电泳涂布玻璃,烧成微晶玻璃钝化层;步骤9,制作欧姆短路控制电极层;步骤10,划片切分;步骤11,封装。本实用新型所述的二极管通过上述工艺提高了器件的常温及高温性能,提高了器件的稳定性,应用广泛。 |
申请公布号 |
CN205845962U |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201521138516.9 |
申请日期 |
2015.12.30 |
申请人 |
天津天物金佰微电子有限公司 |
发明人 |
张淑云 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 |
代理人 |
李莉华 |
主权项 |
一种玻璃钝化高压双向触发二极管,包括NPN三层结构的硅片,其特征在于:所述硅片(11)的双面对称光刻腐蚀有硼扩散窗,在该硼扩散窗内有短路电极层(31),该短路电极层(31)上部还光刻有硼扩散窗,该硼扩散窗内有表面接触电极层(41),形成双面P+PNPNPP+结构,该双面P+PNPNPP+结构上还光刻腐蚀有电泳钝化沟槽,在该电泳钝化沟槽内有微晶玻璃钝化层(61),该双面P+PNPNPP+结构双面对称设置有欧姆短路控制电极层(51)。 |
地址 |
300385 天津市西青区西青经济技术开发区赛达工业园5号厂房 |