| 发明名称 | 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及下式1所示的聚合物和采用该聚合物形成显微图形的方法其中,R为C<SUB>1</SUB>－C<SUB>10</SUB>伯醇或仲醇基;m和n相互独立地代表1—3的数;以及a∶b∶c之比为(10—80)摩尔%∶(10—80)摩尔%∶(10—80)摩尔%。本发明的光致抗蚀剂聚合物适于利用ArF、E－射线、EUV或离子射线等光源来形成4G或16G半导体器件所用的超显微图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1235171A | 申请公布日期 | 1999.11.17 |
| 申请号 | CN99105365.6 | 申请日期 | 1999.04.30 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 郑载昌;卢致亨;卜喆圭;金明洙;李根守;白基镐;金亨基;郑镐 |
| 分类号 | C08F220/06;G03F7/00 | 主分类号 | C08F220/06 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 丁业平;王达佐 |
| 主权项 | 1．一种光致抗蚀剂聚合物，包含(ⅰ)作为第一共聚单体的如下式3所示的化合物[式3]<img file="A9910536500021.GIF" wi="138" he="295" />(ⅱ)作为第二共聚单体的如下式4所示的化合物[式4]<img file="A9910536500022.GIF" wi="139" he="230" />其中，R为C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伯醇或仲醇基；m和n相互独立地代表1-3的数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||