| 主权项 |
1.一种发光装置,其包括: 阳极; 阴极;及 介于阳极与阴极之间的有机化合物层,该有机化合 物层包含发光层和电子传输层,其中该发光层系位 于该电子传输层与阳极之间, 其中于该电子传输层与阴极之间形成电子发射区, 且该电子发射区接触包含给体分子。 2.一种发光装置,其包含: 阳极; 阴极;及 介于阳极与阴极之间的有机化合物层,该有机化合 物层包含发光层和电子传输层,其中该发光层系位 于该电子传输层与阳极之间, 其中于该电子传输层与阴极之间形成电子发射区, 其中该电子传输层包含具有电子传输特性的材料, 且 其中该电子发射区包含给体分子和具有电子传输 特性的材料。 3.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含发光层和电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电子传输层与第一电极之 间,且 其中于该电子传输层与第二电极之间形成电子发 射区,且该电子发射区接触包含给体分子。 4.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含发光层和电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电子传输层与第一电极之 间, 其中于该电子传输层与第二电极之间形成电子发 射区, 其中该电子传输层包含具有电子传输特性的材料, 且 其中该电子发射区包含给体分子和具有电子传输 特性的材料。 5.一种发光装置,其包含: 阳极; 阴极;及 介于阳极与阴极之间的有机化合物层,该有机化合 物层包含电洞传输层、发光层及电子传输层,其中 该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层之间, 其中于该阳极与电洞传输层之间形成电洞发射区, 且该电洞发射区接触包含受体分子, 其中于该电子传输层与阴极之间形成电子发射区, 且该电子发射区接触包含给体分子。 6.一种发光装置,其包含: 阳极; 阴极;及 介于阳极与阴极之间的有机化合物层,该有机化合 物层包含电洞传输层(该电洞传输层含有具有电洞 传输特性的材料)、发光层及电子传输层(该电子 传输层含有具有电子传输特性的材料),其中该发 光层系位于该电洞传输层与电子传输层之间, 其中于该阳极与电洞传输层之间形成电洞发射区, 其中于该电子传输层与阴极之间形成电子发射区, 其中该电洞发射区包含受体分子和具有电洞传输 特性的材料;且 其中该电子发射区包含给体分子和具有电子传输 特性的材料。 7.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含电洞传输层、发光层及电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层 之间, 其中于该第一电极与电洞传输层之间形成电洞发 射区,且该电洞发射区包含受体分子,且 其中于该电子传输层与第二电极之间形成电子发 射区,且该电子发射区包含给体分子。 8.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含电洞传输层(该电洞传输层含有具有电洞传 输特性的材料)、发光层及电子传输层(该电子传 输层含有具有电子传输特性的材料),及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层 之间, 其中于该第一电极与电洞传输层之间形成电洞发 射区, 其中于该电子传输层与第二电极之间形成电子发 射区, 其中该电洞发射区包含受体分子和具有电洞传输 特性的材料;且 其中该电子发射区包含给体分子和具有电子传输 特性的材料。 9.一种发光装置,其包含: 阳极; 阴极;及 介于阳极与阴极之间的有机化合物层,该有机化合 物层包含发光层和电子传输层,其中该发光层系位 于该电子传输层与阳极之间, 其中该电子传输层之一部分系掺杂给体分子,且该 部分与阴极接触。 10.一种发光装置,其包含: 阳极; 阴极;及 介于阳极与阴极之间的有机化合物层,该有机化合 物层包含电洞传输层、发光层及电子传输层,其中 该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层之间, 其中该电洞传输层之一部分系掺杂受体分子,且该 部分与阳极接触,且 其中该电子传输层之一部分系掺杂给体分子,且该 部分与阴极接触。 11.如申请专利范围第3、4、7及8项中任一项之发光 装置,其中第一电极是阳极,第二电极是阴极,且电 子发射区接触第二电极。 12.如申请专利范围第1至10项中任何一项之发光装 置,其中有机化合物层包含电洞注入层、电洞传输 层、发光层、阻挡层、电子传输层和电子发射区 介于电子传输层与发光层之间的阻断层。 13.如申请专利范围第1至8项中任一项之发光装置, 其中电子发射区含有3,3',5,5'-四甲基联苯胺。 14.如申请专利范围第1至10项中任一项之发光装置, 其中发光装置系并入选自下列物品的至少一件中: 显示装置、数位式照相机、笔记本式个人电脑、 移动式电脑、备有记录媒体的携带型图像播放装 置、眼镜型显示器、摄像机及携带型电话。 15.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含电洞传输层、发光层及电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极; 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一; 其中该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层 之间; 其中该电洞传输层之一部分系掺杂受体分子,且该 部分与第一电极接触,且 其中该电子传输层之一部分系掺杂给体分子,且该 部分与第二电极接触。 16.如申请专利范围第15项之发光装置,其中有机化 合物层包含介于电子传输层与发光层之间的阻断 层。 17.如申请专利范围第15项之发光装置,其中发光装 置系并入选自下列物品的至少一件中:显示装置、 数位式照相机、个人电脑、移动式电脑、备有记 录媒体的携带型图像播放装置、眼镜型显示器、 摄像机及携带型电话。 18.如申请专利范围第1项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 19.如申请专利范围第2项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 20.如申请专利范围第3项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 21.如申请专利范围第4项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 22.如申请专利范围第5项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 23.如申请专利范围第6项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 24.如申请专利范围第7项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 25.如申请专利范围第8项之发光装置,其中电子传 输层不包括给体分子。 26.如申请专利范围第9项之发光装置,其中除了该 部分外的电子传输层不包括给体分子。 27.如申请专利范围第10项之发光装置,其中除了该 掺杂给体分子之部分外的电子传输层不包括给体 分子。 28.如申请专利范围第15项之发光装置,其中除了该 掺杂给体分子之部分外的电子传输层不包括给体 分子。 29.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含发光层和电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电子传输层与第二电极之 间,且 其中于该电子传输层与第一电极之间形成电子发 射区,且该电子发射区接触包含给体分子。 30.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含发光层和电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电子传输层与第二电极之 间, 其中于该电子传输层与第一电极之间形成电子发 射区, 其中该电子传输层包含具有电子传输特性的材料, 且 其中该电子发射区包含给体分子和具有电子传输 特性的材料。 31.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含电洞传输层、发光层及电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层 之间, 其中于该第二电极与电洞传输层之间形成电洞发 射区,且该电洞发射区包含受体分子,且 其中于该电子传输层与第一电极之间形成电子发 射区,且该电子发射区包含给体分子。 32.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含电洞传输层(该电洞传输层含有具有电洞传 输特性的材料)、发光层及电子传输层(该电子传 输层含有具有电子传输特性的材料),及 形成在该有机化合物层上的第二电极, 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一, 其中该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层 之间, 其中于该第二电极与电洞传输层之间形成电洞发 射区, 其中于该电子传输层与第一电极之间形成电子发 射区, 其中该电洞发射区包含受体分子和具有电洞传输 特性的材料;且 其中该电子发射区包含给体分子和具有电子传输 特性的材料。 33.一种发光装置,其包含: 具有在绝缘表面上形成的源极区和汲极区的TFT; 形成在该TFT上的层间绝缘膜; 形成在层间绝缘膜上的第一电极; 形成为覆盖第一电极边缘部分的绝缘层; 形成在第一电极上的有机化合物层,该有机化合物 层包含电洞传输层、发光层及电子传输层;及 形成在该有机化合物层上的第二电极; 其中第一电极电气连接源极区和汲极区之一; 其中该发光层系位于该电洞传输层与电子传输层 之间; 其中该电洞传输层之一部分系掺杂受体分子,且该 部分与第二电极接触,且 其中该电子传输层之一部分系掺杂给体分子,且该 部分与第一电极接触。 图式简单说明: 图1是解释本发明发光装置的元件结构的示意图; 图2A和2B是解释朝上发射型发光装置的元件结构的 示意图; 图3是解释朝上发射型发光装置的元件结构的示意 图; 图4A和4B是解释朝上发射型发光装置的元件结构的 示意图; 图5是解释朝上发射型发光装置的元件结构的示意 图; 图6A和6B是解释朝下发射型发光装置的元件结构的 示意图; 图7是解释朝下发射型发光装置的元件结构的示意 图; 图8A和8B是解释本发明发光装置的元件结构的示意 图; 图9A和9B是解释本发明发光装置的元件结构的示意 图; 图10A~10C是解释本发明发光装置的制造方法的示意 图; 图11A~11C是解释本发明发光装置的制造方法的示意 图; 图12A~12C是解释本发明发光装置的制造方法的示意 图; 图13A和13B是解释本发明发光装置的制造方法的示 意图; 图14A~14D是解释本发明发光装置的元件结构的示意 图; 图15A和15B是解释能采用本发明的电路结构的示意 图; 图16A和16B是解释本发明发光装置的元件结构的示 意图; 图17是解释无源矩阵发光装置的示意图; 图18A~18H是展示电子设备实例的示意图;以及 图19是解释本发明发光装置元件结构的示意图。 |
