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[과제] CMOS 고체 촬상 장치에 있어서, 플로팅 디퓨전 영역의 리크 전류를 적게, 또한, 화소 사이의 리크 전류량 편차를 적게 한다. [해결 수단] 제 1 도전형의 제 1의 반도체 영역(23)과, 제 1의 반도체 영역의 소자 분리 영역(28)으로 분리된 영역 내에 형성된 제 2 도전형의 제 2의 반도체 영역(25)을 갖는 광전변환부(PD)와, 제 1의 반도체 영역에 형성된 화소 트랜지스터(Tr1 내지 )Tr4)를 갖는다. 제 1의 반도체 영역의 소자 분리 영역(28)으로 분리된 영역 내에 형성된 제 2 도전형의 플로팅 디퓨전 영역(FD)을 갖는다. 또한, 플로팅 디퓨전 영역(FD)과 소자 분리 영역(28)의 사이에 존재하는 제 1 의 반도체 영역(23) 상에 형성되고, 소요되는 바이어스 전압이 인가되는 전극(53)을 갖는다. |
