| 发明名称 |
STO METHOD FOR MANUFACTURING ATOMICALLY FLAT POLYCRYSTALLINE STO SUBSTRATE |
| 摘要 |
원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법이 개시된다. 원자적으로 평평한 다결정(polycrystalline) STO 기판 제조방법은 다결정(polycrystalline) STO(SrTiO) 기판을 에칭하는 단계; 및 상기 다결정 STO 기판을 어닐링하는 단계를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160138620(A) |
申请公布日期 |
2016.12.06 |
| 申请号 |
KR20150072666 |
申请日期 |
2015.05.26 |
| 申请人 |
성균관대학교산학협력단 |
发明人 |
최우석;김윤석;서호성;우성민;이상아 |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/3063;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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