一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种基于金属/金属氧化物的QLED器件及其制备方法。制备方法包括：步骤A、将金属单质沉积到衬底上；步骤B、对所述金属单质进行氧化处理，使所述金属单质上生长出金属氧化物；步骤C、对所述衬底进行退火处理，使金属单质与金属氧化物进一步融合；步骤D、在所述衬底上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；步骤E、在沉积完各功能层的衬底上制作阴极，完成QLED器件的制备。通过本发明的方法，使得金属电极和金属氧化物之间没有明显的界面，进而减少了界面的缺陷态，从而增加了载流子的传输效率，提高器件的性能。这种金属/金属氧化物的结构降低了载流子传输的势垒，提高了器件的效率。

主权项

一种基于金属/金属氧化物的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将金属单质沉积到衬底上；步骤B、对所述金属单质进行氧化处理，使所述金属单质上生长出金属氧化物；步骤C、对所述衬底进行退火处理，使金属单质与金属氧化物进一步融合；步骤D、在所述衬底上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；步骤E、在沉积完各功能层的衬底上制作阴极，完成QLED器件的制备。