| 发明名称 |
METHOD FOR NEUTRALIZING ACCEPTORS ATOMS IN InP OF p TYPE. |
| 摘要 |
Ce procédé consiste à épitaxier une couche (4) d'InP dopé p puis une couche (6) de Ga0,47In0,53As non intentionnellement dopé sur un substrat semi-isolant (2) d'InP, puis à hydrogéner la couche d'InP en soumettant l'ensemble à un plasma d'hydrogène (8) ayant une densité de puissance inférieure à 0,07 W/cm2 ou au plus égale à 250°C. |
| 申请公布号 |
EP0386206(A1) |
申请公布日期 |
1990.09.12 |
| 申请号 |
EP19890909582 |
申请日期 |
1989.08.17 |
| 申请人 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS);ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DELEGUE DES POSTES, DES TELECOMMUNICATIONS ET DE L'ESPACE |
发明人 |
ROSE, BENOIT;MIRCEA, ANDREI;CHEVALLIER, JACQUES;PESANT, JEAN-CLAUDE |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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