发明名称 CLEANING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要 On empêche l'adhésion d'impuretés métalliques à la surface d'un substrat semi-conducteur lors du nettoyage du substrat à l'aide d'une solution aqueuse basique de peroxyde d'hydrogène. Le liquide nettoyant contient un agent de chélation comportant au moins deux groupes d'acide phosphonique. Même en cas de contamination du liquide nettoyant par les impuretés métalliques, les caractéristiques du dispositif à semi-conducteur composé du substrat demeurent stables, dès lors que les impuretés ne peuvent pas adhérer à la surface du substrat.
申请公布号 WO9216017(A1) 申请公布日期 1992.09.17
申请号 WO1992JP00219 申请日期 1992.02.28
申请人 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 发明人 SUGIHARA, YASUO;TANAKA, KAZUSHIGE;KAWAKAMI, MICHIYA
分类号 C11D7/60;C01B15/037;C23G5/032;H01L21/304;H01L21/306 主分类号 C11D7/60
代理机构 代理人
主权项
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