Semiconductor device controllable by field effect with several temperature sensors

摘要

In den Halbleiterkörper (1) eines Leistungs-MOSFET oder IGBT sind mindestens zwei Temperatursensoren (4, 5) integriert, die an verschiedenen Orten innerhalb des Zellenfeldes (3) angeordnet sind. Damit wird der Temperaturgradient zwischen einem stark erhitzten, lokalen Bereich des Halbleiterkörpers und einem der Temperatursensoren verringert und die Ansprechzeit im Überlastfall verkürzt sich.