发明名称 |
INTEGRATED STORAGE WITH INTER-BLOCK REDUNDANCY |
摘要 |
Der integrierte Speicher weist Speicherblöcke (B) auf mit Spaltenleitungen (BL) und Zeilenleitungen (WL) sowie wenigstens einer Redundanz-Zeilenleitung (RWL) zum Ersetzen je einer der Zeilenleitungen in einem beliebigen der Speicherblöcke. Ausserdem weist jeder Speicherblock eine Deaktivierungseinheit (AKT) auf zum Deaktivieren des Speicherblockes. Der integrierte Speicher weist Deaktivierungsleitungen (EN1..k) auf, von denen jede mit einem Eingang der Deaktivierungseinheit (AKT) eines der Speicherblöcke (B) verbunden ist. Jeder Speicherblock (B) weist einen Deaktivierungsdecoder (ENDEC) auf, der ausgangsseitig mit allen Deaktivierungsleitungen (EN1..k) verbunden ist. Im Falle des Ersetzens einer der Zeilenleitungen (WL) eines ersten der Speicherblöcke (B) durch eine Redundanz-Zeilenleitung (RWL) eines zweiten der Speicherblöcke deaktiviert der Deaktivierungsdecoder (ENDEC) des zweiten Speicherblockes den ersten Speicherblock über die entsprechende Deaktivierungsleitung.
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申请公布号 |
WO0010086(A1) |
申请公布日期 |
2000.02.24 |
申请号 |
WO1999DE02401 |
申请日期 |
1999.08.02 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;WU, XIAOFENG;TAEUBER, ANDREAS |
发明人 |
WU, XIAOFENG;TAEUBER, ANDREAS |
分类号 |
G11C29/04;G11C29/00;(IPC1-7):G06F11/20 |
主分类号 |
G11C29/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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