在同一衬底上制造一个异质结双极型晶体管和一个激光二极管

摘要

异质结双极型晶体管HBT和激光二极管LD由包括多个半导体层(1－9)的公用外延结构制作。晶体管可以由外延步骤结束之后得到的材料直接制作。为制作激光二极管,需要通过向材料中扩散(21)锌来改变结构,这样最顶层材料层的掺杂剂类型将由n－型转变为p－型。这是在晶片上的选定区域内进行的,这样,晶体管和激光二极管可以单片集成在一起。激光器的有源区(5)位于晶体管的集电极(3－5),这为元件的设计提供了一定的自由度,并且可以对两个元件分别进行优化。因此,激光器和HBT可以具有相同的结构,如同它们分别得到优化一样。例如,激光器可以是垂直注入型,因此,可以得到与分立激光器相同的性能。

主权项

1.一种在同一衬底上制造晶体管和激光二极管的方法，其特征在于，首先在衬底表面上制作层序列，该层序列在横向界定衬底的第一选定区域时，在第一区域中形成晶体管结构，在衬底上与第一区域隔离的第二个区域中，通过向第二区域中的上层扩散物质来改变了层序列中上层的掺杂，在第二个区域，进行横向约束，从而在第二区域中产生激光器结构。