| 发明名称 | 半导体元件的制造方法、以及由此方法形成的半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法，包括：提供半导体衬底(210，510)；在该半导体衬底中形成沟槽(130，430)，以便限定出由此沟槽彼此隔离的多个有源区；在该沟槽的一部分之下的半导体衬底之中，形成掩埋层(240，750)，其中该掩埋层至少部分地与该沟槽邻接；在形成该掩埋层之后，在该沟槽中淀积电绝缘材料(133，810)；在多个有源区的一个有源区中形成集电极区(150，950)，其中该集电极区形成与该掩埋层的接触；在多个有源区的一个有源区之上形成基极结构；以及在多个有源区的一个有源区之上形成发射极区。 | ||
| 申请公布号 | CN101263600A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200480039266.1 | 申请日期 | 2004.11.18 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 詹姆斯·A·基希格斯纳 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L29/70(2006.01);H01L31/11(2006.01) | 主分类号 | H01L27/082(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1. 一种半导体元件的制造方法，该方法包括：提供具有表面和第一导电类型的半导体衬底；在该半导体衬底的该表面之中形成沟槽，以便定义出由该沟槽彼此隔离的多个有源区；在该沟槽的一部分之下的该半导体衬底中形成掩埋层，其中该掩埋层具有第二导电类型且与该沟槽至少部分地邻接；在形成该掩埋层之后，在该沟槽中淀积电绝缘材料；在该多个有源区的一个有源区中形成具有第二导电类型的集电极区；在该多个有源区的一个有源区之上形成具有第一导电类型的基极结构；以及在该多个有源区的一个有源区之上形成具有第二导电类型的发射极区，其中：该集电极区形成到达该掩埋层的接触。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||