场效电晶体中具有薄复晶闸极之最佳化深源/汲极接合面

摘要

本发明提供一种半导体结耩以及一种制造该半导体结构的方法，在该半导体结构中，减小了复晶Si闸极之复晶矽耗尽效应及寄生电容问题。该结构包括一薄复晶Si闸极及最佳化深源／汲极掺杂。该方法改变不同植入步骤之顺序且使得有可能在无剂量损耗或掺杂穿透问题之情况下制造该结构。根据本发明，一牺牲硬式遮罩顶盖层用于阻断高能量植入，且一3-1隔片（偏移隔片、第一隔片及第二隔片）机制用于最佳化源／汲极掺杂轮廓。利用此方法，可增加植入至薄复晶Si闸极中之剂量，同时可在无需担心穿透问题的情况下最佳化深源／汲极植入。