互补式金属氧化物半导体结构及使用自对准双应力层之方法

摘要

本发明提供一种CMOS（互补式金属氧化物半导体）结构及制造该CMOS结构之方法，其提供相接但不重叠之一位于一第一电晶体上之第一应力层与一位于一第二电晶体上之第二应力层。当对该第一电晶体及该第二电晶体中之一者中之一源极／汲极区域上之一个矽化物层形成一接触时，此相接但不重叠之状态提供增强的制造灵活性。