发明名称 具有改善性能的功率半导体装置和方法
摘要 在一个实施方案中,半导体装置形成在半导体材料的主体内。半导体装置包括偏离主题区。
申请公布号 TW200805657 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW096105490 申请日期 2007.02.14
申请人 半导体组件工业公司 发明人 盖瑞H 罗却特
分类号 H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国