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经营范围
发明名称
具有改善性能的功率半导体装置和方法
摘要
在一个实施方案中,半导体装置形成在半导体材料的主体内。半导体装置包括偏离主题区。
申请公布号
TW200805657
申请公布日期
2008.01.16
申请号
TW096105490
申请日期
2007.02.14
申请人
半导体组件工业公司
发明人
盖瑞H 罗却特
分类号
H01L29/78(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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