阶梯式漂移金属氧化物半导体场效电晶体的装置及方法

摘要

本发明系关于一种功率金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）（100），其并有一阶梯式漂移区域，该阶梯式漂移区域包括一与闸极（114）部分重叠且向汲极区域（122）延伸一部分距离的浅沟槽绝缘体（STI）（112）。一矽化物块自STI（112）延伸且与STI（112）及汲极区域（122）部分重叠。STI（112）具有一为漂移区域之约50％至75％的宽度。