| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen bidirektionalen MOSFET-Schalter, aufweisend einen Eingang (A) und einen Ausgang (B) und zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2), die mit ihren Source- und Gate-Anschlüssen miteinander verbunden sind, wobei der Eingang (A) und der Ausgang (B) mit jeweils einem Drain-Anschluss der zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2) verbunden ist, einen mittels einer Potentialtrennung (I1) galvanisch isolierten Steuereingang (D), der mit einer Steuereinheit (C1) verbunden ist, welche eingerichtet ist, über einen weiteren MOSFET-Transistor (T4) einen Steuerstrom für einen FET-Transistor (T3) zu schalten, der eingerichtet ist, durch den Steuerstrom eine Gate-Spannung Vgs zwischen Gate (G) und Source (S) an den zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2) zum Schalten derselben zu erzeugen, und einer potentialfreien Spannungsquelle (V1), welche mit dem Anschluss (A) galvanisch verbunden ist und eingerichtet ist, einen Gate-Steuerstrom für die zwei MOSFET-Transistoren (T1, T2) zu erzeugen. |
