强电介体薄膜及其制造方法、强电介体存储器、压电元件

摘要

本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1％以上的4配位Si⁴⁺或Ge⁴⁺的强电介体Pb(Zr，Ti)O₃的B位置上，包含合计为5摩尔％以上、40摩尔％以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。

主权项

1.一种强电介体薄膜，其特征在于：由表示为ABO3或者(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-(式中，A是选自Li+、Na+、K+、Pb2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Bi3+、La3+中的一种或两种以上的离子；B是选自Fe3+、Ti4+、Zr4+、Nb5+、Ta5+、W6+、Mo6+中的一种或两种以上的离子；m为自然数)的钙钛矿结构的强电介体或者铋层状结构的强电介体组成，且A位置离子至少含有4配位的Si4+或Ge4+。