集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构

摘要

本发明涉及一种集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构，包括以下工艺步骤：取基板；在基板上干墨涂布；在基板上将芯片区及打线的内脚区进行蚀刻；基板上涂一层金属、金属活化层、铜金属或合金层；在打线内脚区的铜金属或合金层上镀一层银或镍、钯层；干墨层剥除；芯片区的铜或合金层上银胶涂布；银胶上植入芯片；打线作业；塑料包封作业；激光打印；底层金属基板剥除；粘贴于蓝胶膜上；包封体分割。本发明焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、切割机具及刀片可以发挥出最高的效率、多芯片排列灵活、不会发生塑料渗透的种种困扰以及环保。

主权项

1、一种集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：1)取一片金属基板(A)；2)在金属基板(A)上进行干墨(B)涂布，金属基板上没有被涂上干墨的区域形成芯片区(C1)及打线的内脚区(C2)；3)在金属基板上将芯片区(C1)及打线的内脚区(C2)，进行蚀刻(D)；4)在芯片区(C1)及打线内脚区(C2)的金属基板(A1、A2)上，溅涂一层金属(1)；5)在芯片区(C1)及打线内脚区(C2)的金属层(11)、(12)上，溅镀一层金属活化层(2)；6)在芯片区(C1)及打线内脚区(C2)的金属活化层(21)、(22)上，溅镀一层铜金属或合金层(3)；7)在打线内脚区(C2)的铜金属或合金层(32)上，溅镀一层银金属或镍金属或钯金属层(52)；8)将原先在金属基板(A)上方的干墨层(B)进行剥除；9)将芯片区(C1)的铜金属或合金层(31)上进行银胶(61)的涂布；10)将刚刚完成银胶涂布的芯片区(C1)进行芯片(7)的植入，完成后进行银胶后固化的作业，制成集成电路或分立元件的列陈式集合体半成品；11)将已完成芯片植入作业的半成品，进行打线(8)作业；12)将已打线完成的半成品，进行塑料包封(9)作业；13)将已完成塑料包封的半成品，在塑料包封体(9)表面进行激光打印(10)；14)将已完成塑料包封的半成品，进行底层金属基板(A)剥除作业；15)将已完成金属基板剥除作业后，再将产品的胶体正面粘贴于蓝胶膜(E)上；16)将已完成产品贴附于蓝胶膜后，进行塑料包封体(9)分割。