| 主权项 |
1.一种影像感测元件的制造方法,包括: 于一基底上形成一光电二极体以及一电晶体; 于该光电二极体的一感光区上形成一自行对准金 属矽化物阻挡层(Salicide Block,SAB); 进行多数次金属内连线制程,以于该基底上形成多 数层介电层以及各该介电层中的一金属内连线;以 及 进行一微影蚀刻制程,以移除该感光区以上的该些 介电层,而暴露出该感光区上的该自行对准金属矽 化物阻挡层。 2.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的制 造方法,其中该自行对准金属矽化物阻挡层包括当 作抗反射层。 3.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的制 造方法,其中形成该自行对准金属矽化物阻挡层之 后以及进行该些金属内连线制程之前,更包括进行 一自行对准金属矽化制程。 4.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的制 造方法,其中于该光电二极体的该感光区上形成该 自行对准金属矽化物阻挡层的步骤包括: 于该基底上依序形成一氧化层与一介电层;以及 移除该感光区以外的该氧化层与该介电层。 5.如申请专利范围第1项所述之影像感测元件的制 造方法,其中该自行对准金属矽化物阻挡层之材料 包括氮化矽。 6.一种影像感测元件,包括: 一基底; 一光电二极体,位于该基底上,该光电二极体具有 一感光区; 至少一电晶体,位于该光电二极体旁的该基底上; 一自行对准金属矽化物阻挡层,位于该光电二极体 的该感光区上;以及 多数层介电层,覆盖于该基底上,各该介电层中配 置有一金属内连线,该些金属内连线位于该感光区 以外的该些介电层中,且各该介电层具有一开口, 该开口暴露该感光区上的该自行对准金属矽化物 阻挡层。 7.如申请专利范围第6项所述之影像感测元件,其中 该自行对准金属矽化物阻挡层包括作为抗反射层 。 8.如申请专利范围第6项所述之影像感测元件,更包 括一氧化层,配置于该自行对准金属矽化物阻挡层 与该感光区之间。 9.如申请专利范围第6项所述之影像感测元件,其中 该自行对准金属矽化物阻挡层之材料包括氮化矽 。 10.如申请专利范围第6项所述之影像感测元件,其 中该影像感测元件包括光电二极体互补式金氧半 影像感测器(Photodiode CMOS Image Sensor)。 11.如申请专利范围第6项所述之影像感测元件,其 中该影像感测元件包括主动式光电二极体感测器( Active Pixel Photodiode)。 12.一种形成申请专利范围第6项之影像感测元件的 开口的方法,包括: 进行一乾蚀刻制程,以移除预定形成该开口处的大 部分该些介电层;以及 进行一湿蚀刻制程,以移除预定形成该开口处的小 部分该些介电层,直到暴露出该感光区上的该自行 对准金属矽化物阻挡层。 13.如申请专利范围第12项之形成影像感测元件的 开口的方法,其中进行该乾蚀刻制程之前更包括于 该些介电层上提供一第一图案化光阻层,以露出预 定形成该开口处的该些介电层。 14.如申请专利范围第13项之形成影像感测元件的 开口的方法,其中进行该乾蚀刻制程之后以及进行 该湿蚀刻制程之前,更包括: 去除该第一图案化光阻层; 于该些介电层上形成一第二图案化光阻层,以露出 预定形成该开口处的小部分该些介电层;以及 进行一去残渣(Descum)步骤。 15.如申请专利范围第14项之形成影像感测元件的 开口的方法,其中进行该湿蚀刻制程之后更包括去 除该第二图案化光阻层。 16.如申请专利范围第13项之形成影像感测元件的 开口的方法,其中进行该乾蚀刻制程之后以及进行 该湿蚀刻制程之前,更包括以RCA溶液去除该乾蚀刻 制程后所留下的高分子残余物。 17.如申请专利范围第16项之形成影像感测元件的 开口的方法,其中进行该湿蚀刻制程之后更包括去 除该第一图案化光阻层。 图式简单说明: 图1A至图1E是依照本发明之第一实施例的一种影像 感测元件的制造流程剖面图。 图2是依照本发明之第二实施例的一种影像感测元 件的结构剖面图。 图3是本发明之第二实施例的影像感测元件中,在 介电层中形成开口的步骤图。 |
