| 发明名称 | 能够存储多比特数据和单比特数据的闪存设备 | ||
| 摘要 | 提供了一种能够操作多比特和单比特数据的闪存设备。该闪存设备可以包括具有多个存储块的存储单元阵列。该闪存设备还可以包括判断电路，用于存储指示存储块的每个是否是多比特存储块的多比特/单比特信息、根据所存储的多比特/单比特信息确定所输入的块地址的存储块是否是多比特存储块、并且输出适当的标志信号。还包括读/写电路，用于选择性地对与所输入的块地址对应的存储块执行多比特和单比特读/程序操作，以及还包括控制逻辑，用于基于该标志信号控制该读/写电路使得该读/写电路可以执行多比特或单比特读/程序操作。还可以包括纠错校验(ECC)电路，其包括多比特ECC单元和单比特ECC单元，用于检查和纠正读/写电路的数据中的错误。 | ||
| 申请公布号 | CN1905070A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610110020.X | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李真烨 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 蒲迈文;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种闪存设备，包括：存储单元阵列，包括多个存储块；判断电路，用于存储指示存储块的每个是否是多比特存储块的多比特/单比特信息，基于所存储的多比特/单比特信息确定所输入的块地址是否对应于多比特存储块，并且输出指示所输入的块地址是否对应于多比特存储块的多比特/单比特标志信号；读/写电路，用于选择性地执行与所输入的块地址对应的存储块的多比特和单比特读/程序操作；以及控制逻辑，用于基于该多比特/单比特标志信号控制该读/写电路使得该读/写电路执行多比特或单比特读/程序操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||